1. Madala temperatuuri korral, kui temperatuur on alla 0 kraadi, suureneb sisetakistus umbes 15 protsenti iga kord, kui temperatuur langeb 10 kraadi võrra. Üheks oluliseks põhjuseks on eritakistuse suurenemine, kuna väävelhappe lahuse viskoossus akus suureneb.
Kõrgemal temperatuuril, näiteks 10 kraadi või kõrgemal, suureneb sulfaadiooni difusioonikiirus, kontsentratsiooni polarisatsiooniefekt väheneb oluliselt ja polarisatsioonitakistus väheneb, kuid juhi takistus suureneb koos temperatuuri tõusuga, kuid kasvukiirus on väike.
2. Aku laadimise ja tühjenemise käigus muutub takistus. Sisetakistus muutub laadimise ajal suurest väikeseks ja vastupidi.
3. Õhukese plaadi aku sisetakistus on ilmselgelt väiksem kui paksu plaataku oma, kuna sama mahutavusega aku õhukeste plaatide arv on suurem kui paksu plaataku oma, nii et sama voolu tühjenemisel on voolutihedus õhukese plaadi aku on väike ja iga pooluse polarisatsioon on palju väiksem.
4. Tühjendusvool
Hetkelise suure voolulahenduse korral ei ole väävelhappe lahuse kiire lahjenemise tõttu plaadipilus enam kui 90 protsendil plaadiaugust väljaspool olevas lahuses aega plaadivahesse difundeeruda. Nii suureneb lahuse eritakistus akuplaadi augus ja klemmipinge väheneb oluliselt. Pärast tühjenemise peatamist aga plaadiaugus oleva lahuse eritakistus väheneb ja klemmpinge tõuseb, kui kõrge kontsentratsiooniga väävelhappemolekulid difundeeruvad plaadipilusse.